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    硅靶材


    硅旋轉靶采用噴涂或燒結綁定工藝制得,可生產最大長度4000mm,厚度根據客戶要求定制。
    硅平面靶分單晶和多晶,通過直拉晶體生長方法生產,通常綁定在銅背板上一起使用。

    純度:99.99-99.999%,電阻率(20°C): 0.01-400Ω.cm
    應用領域:用于制作SiO2/Si3N4膜,主要用于光學玻璃、觸摸屏之AR膜系、LOW-E鍍膜玻璃、半導體電子、平板液晶顯示器、太陽能電池板、裝飾和功能鍍膜工業、抗腐蝕抗磨損(表面改性)等領域。

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